2023.10.17，美国商务部针对半导体设备出口管制，进行了规则更新。美国设备出口管制力度和范围未超预期，鉴于行业人士及大众对国产半导体的发展持续看多，业内人士看好设备/零部件/材料国产化！ 

此次管制内容更新要点： 

一、管制的原因，新增“地区稳定”条目，此前仅有国家安全、反恐。 

二、先进工艺设备的认定原则：从“具备做先进工艺的性能”，变为“专门为先进工艺设计”。

例如对于1980i这类针对成熟制程而设计的光刻机，在新的判定规则下不会被认定为“先进工艺设备”，从而不会受到先进工艺设备的相关限制。 

三、具体受限的设备，类型、规格、参数上进行更新：

 【外延】特定的硅硅锗外延被加入限制； 

【刻蚀】强调了用于GAAFETs及类似的3D结构的刻蚀，并细化到各向同性/异性干法刻蚀； 

【沉积】明确了对：

1）特定层之上金属层的沉积（包括先进工艺钴电镀）；

2）钨、氢沉积；

3）沉积钴或钌的铜互联；

4）特定参数硬掩模沉积；

5）特定规格ALD；

6）功函数层；

7）特定规格low K PECVD的认定； 

【光刻】

1）对最小分辨尺寸在45nm及以下的光刻机，附加新的认证条件；

2）明确EUV定义：波长大于5nm、小于124nm； 

【其他】新增对以下几类设备的认定：

1）PVD：沉积EUV级别光罩反射层的设备；

2）特定规格的涂胶显影；

3）特定规格低温退火设备；

4）三种先进工艺的清洗设备； 

四、其他更改：

1）对用于先进工艺光刻机，施行美国技术含量0%的长臂限制；

2）针对临时通用许可（TGL）增加针对特定公司的条款；

3）对美国人的活动，新增“本人是否知情”的认定标准。 

总的来说：

 1、对设备的限制，整体指向仍然是【先进工艺】，并细化了先进工艺、EUV相关的认定标准； 

2、通过添加“前缀”、增加说明的方式，特别指出半导体设备的限定范围是【半导体晶圆制造】相关；对美国人的限制，增加【本人是否知情】的判定，规则有所软化； 

3、强调了地区和供应链稳定； 

4、整体上，美国制裁在【力度】、【范围】上并未超出22年10.7《新出口管制》的框架，并根据荷兰、日本的制裁措施，细化、同步了相关设备对华的限定，此外对第三方转口给中国的出口许可新增了要求。 

制裁落地，业内人士和大众在华为成功的激励下，更加看好设备/零部件/材料国产化： 

1、设备方面：精测电子、中科飞测、拓荆科技、华海清科、芯源微、中微公司、北方华创等。 

2、零部件方面：茂莱光学、福晶科技、国力股份、富创精密、新莱应材等。 

3、材料方面：安集科技、路维光电、彤程新材等。

美国后续出台新的补丁式政策、加剧制裁力度；制裁有关细节需进一步确认官方信息；此次制裁措施尚需公众反馈，相关内容可能面临更改。

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